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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
1Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSUL_12
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond-Elektronik
Uhrfrequenz:
10,066 GHz
Spannung - Versorgung:
1.14V | 1.3V, 1.7V | 1.95V
Zugriffszeit:
5,5 ns
Packung / Gehäuse:
178-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
64M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR3
Basisproduktnummer:
W63AH6
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
1Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSUL_12
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
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Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond-Elektronik
Uhrfrequenz:
10,066 GHz
Spannung - Versorgung:
1.14V | 1.3V, 1.7V | 1.95V
Zugriffszeit:
5,5 ns
Packung / Gehäuse:
178-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
64M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR3
Basisproduktnummer:
W63AH6
Speicherformat:
DRAM
W63AH6NBVADI
SDRAM - Mobile LPDDR3 Speicher IC 1Gbit HSUL_12 1,066 GHz 5,5 ns 178-VFBGA (11x11.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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