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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
- Das ist nicht der Fall.
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
9Mbit
Spannung - Versorgung:
3.135V ~ 3.465V
Zugriffszeit:
8 ns
Packung / Gehäuse:
119-BGA
Gedächtnisorganisation:
256K x 36
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR (ZBT)
Basisproduktnummer:
71V65703
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
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- Das ist nicht der Fall.
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Spannung - Versorgung:
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Zugriffszeit:
8 ns
Packung / Gehäuse:
119-BGA
Gedächtnisorganisation:
256K x 36
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR (ZBT)
Basisproduktnummer:
71V65703
Speicherformat:
SRAM
71V65703S80BG8
SRAM - Synchrones, SDR (ZBT) Speicher IC 9Mbit Parallel 8 ns 119-PBGA (14x22)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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