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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
10ns
Lieferanten-Gerätepaket:
208-CABGA (15x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
9Mbit
Spannung - Versorgung:
2.4V | 2.6V
Zugriffszeit:
10 ns
Packung / Gehäuse:
208-LFBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
Basisproduktnummer:
70T633
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
10ns
Lieferanten-Gerätepaket:
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Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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9Mbit
Spannung - Versorgung:
2.4V | 2.6V
Zugriffszeit:
10 ns
Packung / Gehäuse:
208-LFBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
Basisproduktnummer:
70T633
Speicherformat:
SRAM
70T633S10BFI
SRAM - Dual Port, Asynchrone Speicher IC 9Mbit Parallel 10 ns 208-CABGA (15x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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