Produktdetails
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Technologie:: |
SDRAM - Bewegliches LPDDR |
Produktkategorie: |
Speicher-ICs |
Speichertypen:: |
Flüchtig |
Factory Stock :: |
0 |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:: |
15ns |
Lieferanten-Gerätepaket:: |
90-VFBGA (8x13) |
Zugriffszeit:: |
5ns |
Speicherformat:: |
DRAM |
Teilstatus:: |
Aktiv |
Speichergröße:: |
128 MB (4M x 32) |
Verpackung:: |
Band & Spule (TR) |
@ qty :: |
0 |
Betriebstemperatur:: |
-40 °C bis 85 °C (TA) |
Mindestmenge:: |
2500 |
Speicherschnittstelle:: |
Parallel |
Packung / Koffer:: |
90-TFBGA |
Montageart:: |
Oberflächenbefestigung |
Uhrfrequenz:: |
200 MHz |
Spannung - Versorgung:: |
1,7 V | 1,95 V |
Reihe:: |
- |
Hersteller:: |
Winbond-Elektronik |
Technologie:: |
SDRAM - Bewegliches LPDDR |
Produktkategorie: |
Speicher-ICs |
Speichertypen:: |
Flüchtig |
Factory Stock :: |
0 |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:: |
15ns |
Lieferanten-Gerätepaket:: |
90-VFBGA (8x13) |
Zugriffszeit:: |
5ns |
Speicherformat:: |
DRAM |
Teilstatus:: |
Aktiv |
Speichergröße:: |
128 MB (4M x 32) |
Verpackung:: |
Band & Spule (TR) |
@ qty :: |
0 |
Betriebstemperatur:: |
-40 °C bis 85 °C (TA) |
Mindestmenge:: |
2500 |
Speicherschnittstelle:: |
Parallel |
Packung / Koffer:: |
90-TFBGA |
Montageart:: |
Oberflächenbefestigung |
Uhrfrequenz:: |
200 MHz |
Spannung - Versorgung:: |
1,7 V | 1,95 V |
Reihe:: |
- |
Hersteller:: |
Winbond-Elektronik |