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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
256-CABGA (17x17)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
1.125Mbit
Spannung - Versorgung:
3,15 V ~ 3,45 V
Zugriffszeit:
5 ns
Packung / Gehäuse:
256-LBGA
Gedächtnisorganisation:
32K x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Doppelport, synchron
Basisproduktnummer:
70V3579
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
256-CABGA (17x17)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Speichergröße:
1.125Mbit
Spannung - Versorgung:
3,15 V ~ 3,45 V
Zugriffszeit:
5 ns
Packung / Gehäuse:
256-LBGA
Gedächtnisorganisation:
32K x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Doppelport, synchron
Basisproduktnummer:
70V3579
Speicherformat:
SRAM
70V3579S5BCI8
SRAM - Dual Port, Synchronspeicher IC 1,125 Mbit Parallel 5 ns 256-CABGA (17x17)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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