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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheitliche Prüfungen
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
117 MHZ
Spannung - Versorgung:
3.135V ~ 3.465V
Zugriffszeit:
7,5 ns
Packung / Gehäuse:
100-LQFP
Gedächtnisorganisation:
256K x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR
Basisproduktnummer:
IS61NLF25636
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheitliche Prüfungen
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
117 MHZ
Spannung - Versorgung:
3.135V ~ 3.465V
Zugriffszeit:
7,5 ns
Packung / Gehäuse:
100-LQFP
Gedächtnisorganisation:
256K x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR
Basisproduktnummer:
IS61NLF25636
Speicherformat:
SRAM
IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR
SRAM - Synchrones, SDR-Speicher IC 9Mbit Parallel 117 MHz 7,5 ns 100-LQFP (14x20)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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