ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
84-TWBGA (8x12.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
333 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
450 ps
Packung / Gehäuse:
84-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Basisproduktnummer:
IS46DR16320
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
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Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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333 MHz
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Zugriffszeit:
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Packung / Gehäuse:
84-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Basisproduktnummer:
IS46DR16320
Speicherformat:
DRAM
IS46DR16320D-3DBLA1
SDRAM - DDR2-Speicher IC 512Mbit Parallel 333 MHz 450 ps 84-TWBGA (8x12.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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