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Die Bezeichnung "Methode" ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 zu finden.5

Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 8MBIT PAR 165FBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
8Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
SYNCBURSTTM
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-FBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
100 MHz
Spannung - Versorgung:
3.135V | 3.6V
Packung / Gehäuse:
165-TBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Standard
Zugriffszeit:
8,5 ns
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
8Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
SYNCBURSTTM
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
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165-FBGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
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Spannung - Versorgung:
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Packung / Gehäuse:
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Gedächtnisorganisation:
512K x 18
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Standard
Zugriffszeit:
8,5 ns
Speicherformat:
SRAM
Die Bezeichnung "Methode" ist in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 zu finden.5
SRAM - Standardspeicher IC 8Mbit Parallel 100 MHz 8,5 ns 165-FBGA (13x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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