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Produktdetails

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Beschreibung: IC-DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
54-TSOP II
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
143 MHZ
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
5,4 ns
Packung / Gehäuse:
54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
64M x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
IS42S86400
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
54-TSOP II
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
143 MHZ
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Zugriffszeit:
5,4 ns
Packung / Gehäuse:
54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
64M x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
IS42S86400
Speicherformat:
DRAM
IS42S86400D-7TL
SDRAM-Speicher IC 512 Mbit Parallel 143 MHz 5,4 ns 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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