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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tasche
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
14ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
Uhrfrequenz:
143 MHZ
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
6 ns
Packung / Gehäuse:
54-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
AS4C32
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tasche
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
14ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Uhrfrequenz:
143 MHZ
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
6 ns
Packung / Gehäuse:
54-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
AS4C32
Speicherformat:
DRAM
AS4C32M16SB-7BIN
SDRAM-Speicher IC 512 Mbit Parallel 143 MHz 6 ns 54-FBGA (8x8)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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