ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
165-CABGA (13x15)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Uhrfrequenz:
133 MHz
Spannung - Versorgung:
3.135V ~ 3.465V
Zugriffszeit:
4,2 ns
Packung / Gehäuse:
165-TBGA
Gedächtnisorganisation:
256K x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR
Basisproduktnummer:
71V67603
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
9Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
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-
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Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Zugriffszeit:
4,2 ns
Packung / Gehäuse:
165-TBGA
Gedächtnisorganisation:
256K x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Synchron, SDR
Basisproduktnummer:
71V67603
Speicherformat:
SRAM
71V67603S133BQI8
SRAM - Synchrones, SDR-Speicher IC 9Mbit Parallel 133 MHz 4.2 ns 165-CABGA (13x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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