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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
44-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
44-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
71V416S
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
44-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
44-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
71V416S
Speicherformat:
SRAM
71V416S12YG
SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-SOJ

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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