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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmenge.
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmenge.

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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
32-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
Speichergröße:
1Mbit
Spannung - Versorgung:
4.5V ~ 5.5V
Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
32-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
128K x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
AS7C1024
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
32-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
Speichergröße:
1Mbit
Spannung - Versorgung:
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Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
32-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
128K x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer:
AS7C1024
Speicherformat:
SRAM
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmenge.
SRAM - Asynchrone Speicher IC 1Mbit Parallel 12 ns 32-SOJ

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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