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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 256MBIT LVCMOS 60VFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
256Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
LVCMOS
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
60-VFBGA (8x9)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond-Elektronik
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
5 ns
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 16
Betriebstemperatur:
-25°C | 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR
Basisproduktnummer:
W948V6
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
256Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
LVCMOS
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
60-VFBGA (8x9)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Zugriffszeit:
5 ns
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 16
Betriebstemperatur:
-25°C | 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR
Basisproduktnummer:
W948V6
Speicherformat:
DRAM
W948V6KBHX5E TR
SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 256Mbit LVCMOS 200 MHz 5 ns 60-VFBGA (8x9)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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