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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
36-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
4.5V ~ 5.5V
Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
36-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
512K x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM
Basisproduktnummer:
R1RP0408
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
36-SOJ
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
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Zugriffszeit:
12 ns
Packung / Gehäuse:
36-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
512K x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SRAM
Basisproduktnummer:
R1RP0408
Speicherformat:
SRAM
R1RP0408DGE-2LR#B1
SRAM-Speicher IC 4Mbit Parallel 12 ns 36-SOJ

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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