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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
32 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
133 MHz
Spannung - Versorgung:
2.3V | 2.7V
Zugriffszeit:
6 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
1M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - Mobilgeräte
Basisproduktnummer:
IS42RM32100
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
32 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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133 MHz
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Zugriffszeit:
6 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
1M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - Mobilgeräte
Basisproduktnummer:
IS42RM32100
Speicherformat:
DRAM
IS42RM32100D-75BLI-TR
SDRAM - Mobilspeicher IC 32 Mbit Parallel 133 MHz 6 ns 90-TFBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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