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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
20ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheitliche Datenbank
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Speichergröße:
512 Kbit
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
100-LQFP
Gedächtnisorganisation:
64K x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
Basisproduktnummer:
70V08
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
20ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheitliche Datenbank
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Speichergröße:
512 Kbit
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3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
100-LQFP
Gedächtnisorganisation:
64K x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
Basisproduktnummer:
70V08
Speicherformat:
SRAM
70V08L20PFGI8
SRAM - Dual Port, asynchrone Speicher IC 512Kbit Parallel 20 ns 100-TQFP (14x14)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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