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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
2Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSUL_12
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung von Anlagen für die Anlagentechnik
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Winbond-Elektronik
Uhrfrequenz:
400 MHz
Spannung - Versorgung:
1.14V | 1.3V, 1.7V | 1.95V
Packung / Gehäuse:
134-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
64 M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR2-S4B
Basisproduktnummer:
W97BH2
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
2Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
HSUL_12
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Packung / Gehäuse:
134-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
64 M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR2-S4B
Basisproduktnummer:
W97BH2
Speicherformat:
DRAM
W97BH2MBVA2I TR
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B Speicher IC 2Gbit HSUL_12 400 MHz 134-VFBGA (10x11.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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