Produktdetails
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Beschreibung: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
Kategorie: |
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis |
Produktstatus: |
Veraltet |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Paket: |
Schüttgut |
Reihe: |
- |
DigiKey Programmierbar: |
Nicht bestätigt |
Speicheroberfläche: |
Parallel |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: |
45ns |
Lieferanten-Gerätepaket: |
28-SOIC |
Speichertypen: |
Nicht flüchtig |
Mfr: |
Cypress Semiconductor Corp |
Speichergröße: |
256 Kbit |
Spannung - Versorgung: |
4.5V ~ 5.5V |
Zugriffszeit: |
45 ns |
Packung / Gehäuse: |
28 SOIC (0,342", 8,69 mm Breite) |
Gedächtnisorganisation: |
32K x 8 |
Betriebstemperatur: |
0°C bis 70°C (TA) |
Technologie: |
NVSRAM (permanentes SRAM) |
Basisproduktnummer: |
Stellenabschnitte |
Speicherformat: |
NVSRAM |
Kategorie: |
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis |
Produktstatus: |
Veraltet |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Paket: |
Schüttgut |
Reihe: |
- |
DigiKey Programmierbar: |
Nicht bestätigt |
Speicheroberfläche: |
Parallel |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: |
45ns |
Lieferanten-Gerätepaket: |
28-SOIC |
Speichertypen: |
Nicht flüchtig |
Mfr: |
Cypress Semiconductor Corp |
Speichergröße: |
256 Kbit |
Spannung - Versorgung: |
4.5V ~ 5.5V |
Zugriffszeit: |
45 ns |
Packung / Gehäuse: |
28 SOIC (0,342", 8,69 mm Breite) |
Gedächtnisorganisation: |
32K x 8 |
Betriebstemperatur: |
0°C bis 70°C (TA) |
Technologie: |
NVSRAM (permanentes SRAM) |
Basisproduktnummer: |
Stellenabschnitte |
Speicherformat: |
NVSRAM |