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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
2Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
96-TWBGA (9x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
800 MHz
Spannung - Versorgung:
1.425V | 1.575V
Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
96-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
128M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 95 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR3
Basisproduktnummer:
Einheimische Erzeugnisse
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
2Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
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Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Gedächtnisorganisation:
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Betriebstemperatur:
-40 °C bis 95 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR3
Basisproduktnummer:
Einheimische Erzeugnisse
Speicherformat:
DRAM
IS43TR16128D-125KBLI-TR
SDRAM - DDR3-Speicher IC 2Gbit Parallel 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (9x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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