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Produktdetails

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Beschreibung: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
25ns
Lieferanten-Gerätepaket:
54-TSOP II
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Infineon Technologies
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
2.7V ~ 3.6V
Zugriffszeit:
25 ns
Packung / Gehäuse:
54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
NVSRAM (permanentes SRAM)
Basisproduktnummer:
CY14B104
Speicherformat:
NVSRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
25ns
Lieferanten-Gerätepaket:
54-TSOP II
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Infineon Technologies
Speichergröße:
4Mbit
Spannung - Versorgung:
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Zugriffszeit:
25 ns
Packung / Gehäuse:
54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
256K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
NVSRAM (permanentes SRAM)
Basisproduktnummer:
CY14B104
Speicherformat:
NVSRAM
CY14B104M-ZSP25XIT
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 4Mbit Parallel 25 ns 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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