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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
166 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.95V
Zugriffszeit:
5,5 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR
Basisproduktnummer:
IS43LR32160
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
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12ns
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Uhrfrequenz:
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Zugriffszeit:
5,5 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR
Basisproduktnummer:
IS43LR32160
Speicherformat:
DRAM
IS43LR32160C-6BLI
SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 512 Mbit Parallel 166 MHz 5,5 ns 90-TFBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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