Produktdetails
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Beschreibung: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Kategorie: |
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis |
Speichergröße: |
4Gbit |
Produktstatus: |
Letztes Mal kaufen |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Paket: |
Schüttgut |
Reihe: |
Automobilindustrie, AEC-Q100 |
DigiKey Programmierbar: |
Nicht bestätigt |
Speicheroberfläche: |
Parallel |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: |
15ns |
Lieferanten-Gerätepaket: |
78-FBGA (7.5x11) |
Speichertypen: |
Flüchtig |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Uhrfrequenz: |
1,6 Gigahertz |
Spannung - Versorgung: |
1.14V ~ 1.26V |
Zugriffszeit: |
19 ns |
Packung / Gehäuse: |
78-TFBGA |
Gedächtnisorganisation: |
512M x 8 |
Betriebstemperatur: |
-40 °C bis 95 °C (TC) |
Technologie: |
SDRAM - DDR4 |
Basisproduktnummer: |
USE Gefahrenabweichung |
Speicherformat: |
DRAM |
Kategorie: |
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis |
Speichergröße: |
4Gbit |
Produktstatus: |
Letztes Mal kaufen |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Paket: |
Schüttgut |
Reihe: |
Automobilindustrie, AEC-Q100 |
DigiKey Programmierbar: |
Nicht bestätigt |
Speicheroberfläche: |
Parallel |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: |
15ns |
Lieferanten-Gerätepaket: |
78-FBGA (7.5x11) |
Speichertypen: |
Flüchtig |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Uhrfrequenz: |
1,6 Gigahertz |
Spannung - Versorgung: |
1.14V ~ 1.26V |
Zugriffszeit: |
19 ns |
Packung / Gehäuse: |
78-TFBGA |
Gedächtnisorganisation: |
512M x 8 |
Betriebstemperatur: |
-40 °C bis 95 °C (TC) |
Technologie: |
SDRAM - DDR4 |
Basisproduktnummer: |
USE Gefahrenabweichung |
Speicherformat: |
DRAM |