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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
60-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
2,5 V ~ 2,7 V
Zugriffszeit:
700 ps
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Basisproduktnummer:
Einheit für die Berechnung der Nennwerte
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
60-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
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Zugriffszeit:
700 ps
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Basisproduktnummer:
Einheit für die Berechnung der Nennwerte
Speicherformat:
DRAM
IS43R16320D-5BL
SDRAM - DDR-Speicher IC 512 Mbit Parallel 200 MHz 700 PS 60-TFBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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