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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
256Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
54-TFBGA (8x8)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
133 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.95V
Zugriffszeit:
6 ns
Packung / Gehäuse:
54-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - Mobilgeräte
Basisproduktnummer:
IS42VM16160
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
256Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
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-
Lieferanten-Gerätepaket:
54-TFBGA (8x8)
Speichertypen:
Flüchtig
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Zugriffszeit:
6 ns
Packung / Gehäuse:
54-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - Mobilgeräte
Basisproduktnummer:
IS42VM16160
Speicherformat:
DRAM
IS42VM16160K-75BLI-TR
SDRAM - Mobilspeicher IC 256Mbit Parallel 133 MHz 6 ns 54-TFBGA (8x8)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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