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MT2F512G08EBHAFJ4-3ITF:Eine TR

Produktdetails

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Beschreibung: IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
132-VBGA (12x18)
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
333 MHz
Spannung - Versorgung:
2.5V | 3.6V
Packung / Gehäuse:
132-VBGA
Gedächtnisorganisation:
64G x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
BLITZ - NAND (TLC)
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabwehr
Speicherformat:
Flasch
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
132-VBGA (12x18)
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
333 MHz
Spannung - Versorgung:
2.5V | 3.6V
Packung / Gehäuse:
132-VBGA
Gedächtnisorganisation:
64G x 8
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
BLITZ - NAND (TLC)
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabwehr
Speicherformat:
Flasch
MT2F512G08EBHAFJ4-3ITF:Eine TR
FLASH - NAND (TLC) Speicher IC 512Gbit Parallel 333 MHz 132-VBGA (12x18)
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