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Produktdetails

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Beschreibung: IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
90ns
Lieferanten-Gerätepaket:
100-VFBGA (6x6)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Speichergröße:
128 Kbit
Spannung - Versorgung:
1.8V | 3.3V
Zugriffszeit:
90 ns
Packung / Gehäuse:
100-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
8K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Doppelanschluss, MoBL
Basisproduktnummer:
CYDMX
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
90ns
Lieferanten-Gerätepaket:
100-VFBGA (6x6)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Spannung - Versorgung:
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Zugriffszeit:
90 ns
Packung / Gehäuse:
100-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
8K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Doppelanschluss, MoBL
Basisproduktnummer:
CYDMX
Speicherformat:
SRAM
CYDMX128A16-90BVXI
SRAM - Dual Port, MoBL-Speicher IC 128 Kbit Parallel 90 ns 100-VFBGA (6x6)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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