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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
576 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
533 MHZ
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
15 ns
Packung / Gehäuse:
144-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16 M x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
DRAM
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
576 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Uhrfrequenz:
533 MHZ
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
15 ns
Packung / Gehäuse:
144-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16 M x 36
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
DRAM
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:
DRAM
USE Gefahrenabweichung
DRAM-Speicher IC 576Mbit Parallel 533 MHz 15 ns 144-FBGA (18.5x11)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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