ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
1Gbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
400 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
400 ps
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
128M x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Basisproduktnummer:
IS43DR81280
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
1Gbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
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15ns
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Speichertypen:
Flüchtig
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Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
128M x 8
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Basisproduktnummer:
IS43DR81280
Speicherformat:
DRAM
IS43DR81280B-25DBL-TR
SDRAM - DDR2-Speicher IC 1Gbit Parallel 400 MHz 400 PS 60-TWBGA (8x10.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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