ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II

Erhalten Sie besten Preis

Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
66-TSOP II
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
2,5 V ~ 2,7 V
Zugriffszeit:
700 ps
Packung / Gehäuse:
66-TSSOP (0,400", 10.16mm Breite)
Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Basisproduktnummer:
Einheitliche Prüfungen
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
512 Mbit
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
66-TSOP II
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Zugriffszeit:
700 ps
Packung / Gehäuse:
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Gedächtnisorganisation:
32 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR
Basisproduktnummer:
Einheitliche Prüfungen
Speicherformat:
DRAM
IS46R16320D-5TLA1-TR
SDRAM - DDR-Speicher IC 512Mbit Parallel 200 MHz 700 ps 66-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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