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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
1Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
533 MHZ
Spannung - Versorgung:
1.14V ~ 1.95V
Packung / Gehäuse:
134-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
64M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR2-S4
Basisproduktnummer:
IS43LD16640
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
1Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
533 MHZ
Spannung - Versorgung:
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Packung / Gehäuse:
134-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
64M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM - mobile LPDDR2-S4
Basisproduktnummer:
IS43LD16640
Speicherformat:
DRAM
IS43LD16640C-18BLI
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speicher IC 1Gbit Parallel 533 MHz 134-TFBGA (10x11.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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