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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten.

Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis	Speichergröße:	1Gbit
Produktstatus:	Aktiv	Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung
Paket:	Band und Rolle (TR)	Reihe:	Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:	Nicht bestätigt	Speicheroberfläche:	Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:	15ns	Lieferanten-Gerätepaket:	96-TWBGA (9x13)
Speichertypen:	Flüchtig	Mfr:	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:	800 MHz	Spannung - Versorgung:	1.425V \| 1.575V
Zugriffszeit:	20 ns	Packung / Gehäuse:	96-TFBGA
Gedächtnisorganisation:	64M x 16	Betriebstemperatur:	-40 °C bis 95 °C (TC)
Technologie:	SDRAM - DDR3	Basisproduktnummer:	Einheitliche Prüfverfahren
Speicherformat:	DRAM

Kategorie:	Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:	1Gbit
Produktstatus:	Aktiv
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung
Paket:	Band und Rolle (TR)
Reihe:	Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:	Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:	Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Lieferanten-Gerätepaket:	96-TWBGA (9x13)
Speichertypen:	Flüchtig
Mfr:	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:	800 MHz
Spannung - Versorgung:	1.425V \| 1.575V
Zugriffszeit:	20 ns
Packung / Gehäuse:	96-TFBGA
Gedächtnisorganisation:	64M x 16
Betriebstemperatur:	-40 °C bis 95 °C (TC)
Technologie:	SDRAM - DDR3
Basisproduktnummer:	Einheitliche Prüfverfahren
Speicherformat:	DRAM