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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 64GBIT 2,133 GHz 200VFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
64Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
-
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
200-VFBGA (10x14.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
2,133 Gigahertz
Spannung - Versorgung:
1.1V
Packung / Gehäuse:
200-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
2G x 32
Betriebstemperatur:
-30°C | 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR4
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
64Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
-
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
200-VFBGA (10x14.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Micron Technology Inc.
Uhrfrequenz:
2,133 Gigahertz
Spannung - Versorgung:
1.1V
Packung / Gehäuse:
200-VFBGA
Gedächtnisorganisation:
2G x 32
Betriebstemperatur:
-30°C | 85°C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR4
Basisproduktnummer:
USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:
DRAM
USE Gefahrenabweichung
SDRAM - Mobile LPDDR4-Speicher IC 64Gbit 2,133 GHz 200-VFBGA (10x14.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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