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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.
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Produktdetails

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Beschreibung: RMLV0816BGB - 8 Mb Erweiterte LPSRA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
45ns
Lieferanten-Gerätepaket:
48-TFBGA (7,5 x 8,5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
Rochester Electronics, LLC
Speichergröße:
8Mbit
Spannung - Versorgung:
2.7V ~ 3.6V
Packung / Gehäuse:
48-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Zugriffszeit:
45 ns
Speicherformat:
SRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
45ns
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Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Speichergröße:
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48-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
512K x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchron
Zugriffszeit:
45 ns
Speicherformat:
SRAM
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.
SRAM - Asynchrone Speicher IC 8Mbit Parallel 45 ns 48-TFBGA (7,5x8,5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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