ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
4Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
LVSTL
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
200-TFBGA (10x14.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
1,6 Gigahertz
Spannung - Versorgung:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Packung / Gehäuse:
200-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
256 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR4
Basisproduktnummer:
IS43LQ16256
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
4Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
LVSTL
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-
Lieferanten-Gerätepaket:
200-TFBGA (10x14.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Packung / Gehäuse:
200-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
256 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - Bewegliches LPDDR4
Basisproduktnummer:
IS43LQ16256
Speicherformat:
DRAM
IS43LQ16256A-062TBLI
SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 4Gbit LVSTL 1,6 GHz 200-TFBGA (10x14.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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