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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
4Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
96-TWBGA (9x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
800 MHz
Spannung - Versorgung:
1.283V | 1.45V
Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
96-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
256 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 95 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR3L
Basisproduktnummer:
Einheitliche Prüfverfahren
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
4Gbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Tray
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q100
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
96-TWBGA (9x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
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Uhrfrequenz:
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Zugriffszeit:
20 ns
Packung / Gehäuse:
96-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
256 M x 16
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 95 °C (TC)
Technologie:
SDRAM - DDR3L
Basisproduktnummer:
Einheitliche Prüfverfahren
Speicherformat:
DRAM
IS46TR16256BL-125KBLA1
SDRAM - DDR3L Speicher IC 4Gbit Parallel 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (9x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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