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Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
256Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
84-TWBGA (8x12.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
266 MHz
Spannung - Versorgung:
1.7V ~ 1.9V
Zugriffszeit:
500 ps
Packung / Gehäuse:
84-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Basisproduktnummer:
IS43DR16160
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
256Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15ns
Lieferanten-Gerätepaket:
84-TWBGA (8x12.5)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
266 MHz
Spannung - Versorgung:
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Zugriffszeit:
500 ps
Packung / Gehäuse:
84-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
16M x 16
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Technologie:
SDRAM-DDR2
Basisproduktnummer:
IS43DR16160
Speicherformat:
DRAM
IS43DR16160B-37CBL-TR
SDRAM - DDR2-Speicher IC 256Mbit Parallel 266 MHz 500 PS 84-TWBGA (8x12.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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