Produktdetails
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Beschreibung: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Kategorie: |
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis |
Speichergröße: |
128Mbit |
Produktstatus: |
Aktiv |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Paket: |
Band und Rolle (TR) |
Reihe: |
- |
DigiKey Programmierbar: |
Nicht bestätigt |
Speicheroberfläche: |
Parallel |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: |
- |
Lieferanten-Gerätepaket: |
54-TSOP II |
Speichertypen: |
Flüchtig |
Mfr: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Uhrfrequenz: |
166 MHz |
Spannung - Versorgung: |
3V bis 3,6V |
Zugriffszeit: |
5,4 ns |
Packung / Gehäuse: |
54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite) |
Gedächtnisorganisation: |
16M x 8 |
Betriebstemperatur: |
-40 °C bis 85 °C (TA) |
Technologie: |
SDRAM |
Basisproduktnummer: |
IS42S81600 |
Speicherformat: |
DRAM |
Kategorie: |
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis |
Speichergröße: |
128Mbit |
Produktstatus: |
Aktiv |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Paket: |
Band und Rolle (TR) |
Reihe: |
- |
DigiKey Programmierbar: |
Nicht bestätigt |
Speicheroberfläche: |
Parallel |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: |
- |
Lieferanten-Gerätepaket: |
54-TSOP II |
Speichertypen: |
Flüchtig |
Mfr: |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Uhrfrequenz: |
166 MHz |
Spannung - Versorgung: |
3V bis 3,6V |
Zugriffszeit: |
5,4 ns |
Packung / Gehäuse: |
54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite) |
Gedächtnisorganisation: |
16M x 8 |
Betriebstemperatur: |
-40 °C bis 85 °C (TA) |
Technologie: |
SDRAM |
Basisproduktnummer: |
IS42S81600 |
Speicherformat: |
DRAM |