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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Zellstoff.
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Zellstoff.

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Zellstoff.

Produktdetails

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Beschreibung: IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
64 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
143 MHZ
Spannung - Versorgung:
3V bis 3,6V
Zugriffszeit:
5,4 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
2M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
IS45S32200
Speicherformat:
DRAM
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis
Speichergröße:
64 Mbit
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
DigiKey Programmierbar:
Nicht bestätigt
Speicheroberfläche:
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
90-TFBGA (8x13)
Speichertypen:
Flüchtig
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Uhrfrequenz:
143 MHZ
Spannung - Versorgung:
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Zugriffszeit:
5,4 ns
Packung / Gehäuse:
90-TFBGA
Gedächtnisorganisation:
2M x 32
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Technologie:
SDRAM
Basisproduktnummer:
IS45S32200
Speicherformat:
DRAM
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Verwendung von Zellstoff.
SDRAM-Speicher IC 64 Mbit Parallel 143 MHz 5,4 ns 90-TFBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Nand Flash-Speicher Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Speicher-IC-Chip,

Speicher-IC-Chip 64-FBGA

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