Produktdetails
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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II
Technologie:: |
DRAM |
Produktkategorie: |
Speicher-ICs |
Speichertypen:: |
Flüchtig |
Factory Stock :: |
0 |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:: |
84 n |
Lieferanten-Gerätepaket:: |
50-TSOP II |
Zugriffszeit:: |
25ns |
Speicherformat:: |
DRAM |
Teilstatus:: |
Aktiv |
Speichergröße:: |
64Mb (4M x 16) |
Verpackung:: |
Tray |
@ qty :: |
0 |
Betriebstemperatur:: |
0°C bis 70°C (TA) |
Minimum Quantity :: |
0 |
Speicherschnittstelle:: |
Parallel |
Packung / Koffer:: |
50-TSOP (0,400", 10,16mm Breite) |
Montageart:: |
Oberflächenbefestigung |
Uhrfrequenz:: |
- |
Spannung - Versorgung:: |
3 V | 3,6 V |
Reihe:: |
- |
Hersteller:: |
Rohm Halbleiter |
Technologie:: |
DRAM |
Produktkategorie: |
Speicher-ICs |
Speichertypen:: |
Flüchtig |
Factory Stock :: |
0 |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:: |
84 n |
Lieferanten-Gerätepaket:: |
50-TSOP II |
Zugriffszeit:: |
25ns |
Speicherformat:: |
DRAM |
Teilstatus:: |
Aktiv |
Speichergröße:: |
64Mb (4M x 16) |
Verpackung:: |
Tray |
@ qty :: |
0 |
Betriebstemperatur:: |
0°C bis 70°C (TA) |
Minimum Quantity :: |
0 |
Speicherschnittstelle:: |
Parallel |
Packung / Koffer:: |
50-TSOP (0,400", 10,16mm Breite) |
Montageart:: |
Oberflächenbefestigung |
Uhrfrequenz:: |
- |
Spannung - Versorgung:: |
3 V | 3,6 V |
Reihe:: |
- |
Hersteller:: |
Rohm Halbleiter |