Produktdetails
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Technologie:: |
SDRAM-DDR |
Produktkategorie: |
Speicher-ICs |
Speichertypen:: |
Flüchtig |
Factory Stock :: |
0 |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:: |
15ns |
Lieferanten-Gerätepaket:: |
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d |
Zugriffszeit:: |
700ps |
Speicherformat:: |
DRAM |
Teilstatus:: |
Veraltet |
Speichergröße:: |
512Mb (64M x 8) |
Verpackung:: |
Band & Spule (TR) |
@ qty :: |
0 |
Betriebstemperatur:: |
0°C bis 70°C (TA) |
Mindestmenge:: |
1000 |
Speicherschnittstelle:: |
Parallel |
Packung / Koffer:: |
60-TFBGA |
Montageart:: |
Oberflächenbefestigung |
Uhrfrequenz:: |
167MHz |
Spannung - Versorgung:: |
2,3 V | 2,7 V |
Reihe:: |
- |
Hersteller:: |
Mikrontechnologie |
Technologie:: |
SDRAM-DDR |
Produktkategorie: |
Speicher-ICs |
Speichertypen:: |
Flüchtig |
Factory Stock :: |
0 |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:: |
15ns |
Lieferanten-Gerätepaket:: |
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d |
Zugriffszeit:: |
700ps |
Speicherformat:: |
DRAM |
Teilstatus:: |
Veraltet |
Speichergröße:: |
512Mb (64M x 8) |
Verpackung:: |
Band & Spule (TR) |
@ qty :: |
0 |
Betriebstemperatur:: |
0°C bis 70°C (TA) |
Mindestmenge:: |
1000 |
Speicherschnittstelle:: |
Parallel |
Packung / Koffer:: |
60-TFBGA |
Montageart:: |
Oberflächenbefestigung |
Uhrfrequenz:: |
167MHz |
Spannung - Versorgung:: |
2,3 V | 2,7 V |
Reihe:: |
- |
Hersteller:: |
Mikrontechnologie |